Výzkumný tým Kalifornské univerzity v Santa Barbaře, představil první červenou LED založenou na technologie inGaN s rozměry pod 10 μm a s účinností EQE 0,2 % (externí kvantová účinnost). Zapouzdření by mělo EQE zvýšit na více než 0,6%
Vývoj miniaturizace microLED pomůže při zlepšení kontrastů, vyšších jasů a rychlosti odezvy obrazovek. Pro komerční aplikaci nových microLED je ovšem důležité dosáhnout EQE alespoň v rozmezí 2 – 5% což je ovšem stále výrazně nižší hodnota než u velkých výkonových LED, které dosahují i hodnot přes 50%.
Vývoj z materiálu InGan se prozatím jeví jako perspektivnější základ než zkoumaný AlGaInP, jelikož tyto výrobky trpěly na sníženou účinnost v závislosti na změně velikosti. MikroLED na bázi AlGInP jsou rovněž postiženy poklesem účinnosti s rostoucí teplotou.
Hlavním cílem výzkumného týmu je další výrazné zvýšení EQE svých zařízení, pomocí zlepšení kvality materiálu a optimalizace výrobních kroků, tak aby bylo možné produkty komercializovat.
Zdroj: ledinside.com