Výzkumný tým z Wuhanské Univerzity, vedený Shengjun Zhou, oznámil vývoj efektivních zelených LED na bázi GaN na safírovém substrátu. Vědci navrhli hybridní vrstvu skládající se z naprášených AlN pro zvýšení kvantová účinnosti zelených LED na bázi GaN.
Směr vývoje poskytuje slibný přístup při hledání efektivních světelných diod v oblasti zelené až jantarové barvy. Integrace vícebarevných LED může umožnit efektivní a přesné řízení směšovacích spekter pro realizaci displejů s vysokým rozlišením a různých aplikací chytrého osvětlení. Vzhledem k prozatím špatným účinnostem GAN LED v oblasti zelené až jantarové se však tento vývoj zpozdil.
Vědci vyrobili vysoce účinné zelené LED diody InGaN/GaN na safírovém substrátu pomocí nové hybridní nukleační vrstvy, kdy bylo dosaženo snížené hustoty dislokace a zbytkového napětí v zelených LED diodách. V masové výrobě bylo mohlo dojít ke zlepšení účinnosti až o 16 procent. Tento nárůst je přičítán zvýšené lokalizační hloubce a prostorovému překrývání elektronových vln.
Zdroj: ledinside.com